北京，中国，2021年2月4日-x-fab硅铸造厂（“x-fab”），一家全球公认的优秀光电解决方案制造商，今天宣布推出最新一代雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD）器件。X-fab的新型APD和SPAD采用成熟的、经过认证的180nm xh018高压工艺。由于创新的架构改进，与该公司早期的设备（最初于2019年年中发布）相比，它的性能有了显著提高，因此可以在光照强度具有挑战性的场景中使用。同时，保留了新设备与上一代设备的外形和连接兼容性，从而确保了升级路径简单方便，无需额外的工程工作。性能改进的一个最明显的方面是光子探测概率（PDP）。405nm入射光的PDP值为42%，近红外（NIR）频率提高达150%，850nm入射光的PDP值为5%。此外，后脉冲概率为0.9%，比第一代器件低70%；暗计数率（DCR）仅为13倍/S/μm~2，目前支持的填充因子（有源传感器表面积百分比）几乎翻了一番，达到33%。*由于APD/SPAD的击穿电压特性可能因器件而异，因此需要对其进行精确的测量，以保证APD/SPAD的良好性能。为此，x-fab内置了一个触发二极管，无需外接光源即可实现片上击穿电压的准确实时检测。新产品包括一个主动猝灭电路，可以加快SPAD器件的恢复速度，为进一步的光子探测做好准备。由于尺寸的灵活性（宽度和长度），新的SPAD带来了更出色的应用适应性。SPAD和APD器件的完整器件模型保证了第一次的正确性，新的内置触发二极管行为也包含在模型中由于增强型PDP和极具竞争力的DCR水平，我们面向市场的APD/SPAD解决方案具有令人印象深刻的信号完整性特征，这将使我们的客户在许多应用中获得直接利益，如医学领域的计算机断层扫描和荧光检测，x-fab光电业务部门经理Detlef sommer说，“这些先进的光电器件是x-fab设计套件的一个有价值的补充，并拓宽了xh018工艺中可互操作资产的范围。”注*此处引用的所有测量参数均适用于直径为10μm的光学有源区设备，在室温下被动淬火，过偏压2V。缩写APD雪崩光电二极管DCR暗计数率PDP光子探测概率SPAD单光子雪崩光电二极管关于x-fabx-fab是领先的模拟/混合信号和MEMS晶圆铸造集团，生产汽车、工业、消费用硅片，医疗和其他应用。X-fab采用模块化CMOS和SOI工艺，尺寸范围从1.0μm到130nm，以及其特有的SiC和MEMS长寿命工艺，为全球客户创造最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新的解决方案。X-fab的模拟到数字集成电路（混合信号IC）、传感器和MEMS在德国、法国、马来西亚和美国的六个生产基地生产，全球约有3800名员工。www.xfab.com