Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效
< 返回列表时间: 2021-01-29来源:工控之家网新闻
宾夕法尼亚州,马尔文-2021年1月28日-Vishay intertechnology,Inc.(NYSE股票代码:VSH)宣布推出十款新的650V碳化硅(SIC)肖特基二极管。Vishay半导体采用混合Pinshottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提高高频应用的能效,并且不受温度变化的影响——因此二极管可以在更高的温度下工作。最近推出的MPs二极管可以屏蔽肖特基势垒产生的电场,降低漏电流,通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,在相同的加工电流下,新型二极管的正向压降略有增加,坚固性明显提高。该装置适用于服务器、通信设备、ups和太阳能逆变器等应用中的功率因数校正(PFC)飞轮、Buck飞轮和LLC变换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供了高度的灵活性。二极管采用2lto-220ac和to-247ad3l封装,额定电流4A~40a,工作温度175℃。设备规格表:产品编号if(AV)(a)VRRM(V)25°C,VF(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ最大值(°C)包装包装VF(V)VF(V)VF(V)包装VF(V)包装VF(V)若(a)TJ(a)TJ(a)TJ(a)TJ(a)TJ(a)TJ(a)TJ(a)TJ)TJ(a)TJ)TJ(a)TJ)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)TJ(典型值)T第41601.71.751.651.651.61.71节751.5581012162081001501751752LTO-220ac2lto-220ac2lto-220ac2lto-220acto-247ad3lto-247ad3lto-247ad3l可提供新的SiC二极管样品并已实现批量生产,供货周期为10周。维希是世界上最大的分立半导体和无源电子元件制造商之一。这些产品对于汽车、工业、计算机、消费者、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。Vishay为全球客户服务,拥有高科技的DNA。Vishay intertechnology,Inc.是一家在纽约证券交易所(VSH)上市的“财富1000强公司”。欲了解更多有关Vishay的信息,请访问网站www.vishay.com. dnaoftech是Vishay intertechnology的商标。
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